HFFクリスタルユニット/ HFFオシレーターにはMEMS技術(shù)が採(cǎi)用されており、高周波製品が基本波と直接発振することができます。

    ウェーハ全體を薄くする従來(lái)の機(jī)械加工とは異なり、フォトリソグラフィーは、チップの強(qiáng)度を維持するために、駆動(dòng)電極（逆段構(gòu)造）の近くの厚さを減らすだけです。このようにして、100 MHzの高周波水晶発振器は、基準(zhǔn)周波數(shù)源として中低周波數(shù)の成熟した製品を使用する代わりに、基本波から直接開(kāi)始できます。リソグラフィで処理されたHFF発振器は、優(yōu)れた耐衝撃性と低位相ノイズを備えており、光伝送設(shè)備、基地局、その他の通信インフラストラクチャの設(shè)定に適しています。

    國(guó)內(nèi)企業(yè)はリソグラフィー技術(shù)を打ち破り、小型化と高精度に向けた製品開(kāi)発を推進(jìn)してきました。

    水晶の硬度や物理化學(xué)的性質(zhì)は安定しており、周波數(shù)は溫度によってまったく変化せず、これによる內(nèi)部発振損失も最小限に抑えられており、微細(xì)加工に最適です。同時(shí)に、従來(lái)の機(jī)械加工消費(fèi)方式とは異なり、大量消費(fèi)に便利な改良工程であり、小型化を図りながらその傾向を最小限に抑えることができるため、小型化、低消費(fèi)電力、高安定性、と高い周波數(shù)の利點(diǎn)。

QMEMSテクノロジーを使用した小型製品と、従來(lái)の機(jī)械加工および消費(fèi)のクリスタルフロントエンドプロセスとの違いは次のとおりです。

      1）小型化された製品の切斷プロセスは、一度に1つの音叉結(jié)晶ユニットに切斷されるのではなく、最初に數(shù)千のチップユニットを収束できる寛大な部品に切斷されます。

      2）音叉ウェーハと電極形成リンクは両面リソグラフィープロセスを採(cǎi)用し、WAFERウェーハ上でリソグラフィー、金屬蒸著、レーザー周波數(shù)変調(diào)などの統(tǒng)合処理を停止し、単一の音叉ユニットのサイズは非常に小さい。