標(biāo)稱頻率：

晶體技能條件中規(guī)定的頻率，一般標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。

作業(yè)頻率：

晶體與作業(yè)電路一同產(chǎn)生的頻率。

調(diào)整頻差：

在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時作業(yè)頻率相對于標(biāo)稱頻率所容許的差錯。

溫度頻差：

在規(guī)定條件下，在作業(yè)溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時作業(yè)頻率的容許差錯。

老化率：

在規(guī)定條件下，晶體作業(yè)頻率隨時刻而容許的相對變化。以年為時刻單位衡量時稱為年老化率。

靜電容：

等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，一般用C0標(biāo)明。

負(fù)載電容：

與晶體一同決議負(fù)載諧振頻率fL的有用外界電容，一般用CL標(biāo)明。

負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只需或許就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負(fù)載諧振頻率：

在規(guī)矩條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗出現(xiàn)為

電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

動態(tài)電阻：

串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1標(biāo)明。

負(fù)載諧振電阻：

在負(fù)載諧振頻率時出現(xiàn)的等效電阻。用RL標(biāo)明。

RL=R1（1+C0/CL）2

煽動電平：

晶體作業(yè)時所耗費功率的表征值。

煽動電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

基頻：

在振動模式最低階次的振動頻率。

泛音：

晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比靠近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的首要差異。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。