貼片晶振也稱為SMD晶體，分為兩種類型：無(wú)源晶體和有源晶體。 無(wú)源晶體振蕩器和有源晶體振蕩器（諧振）的英文名稱不同。 無(wú)源晶體振蕩器是晶體，而有源晶體振蕩器稱為振蕩器。  

無(wú)源晶體需要時(shí)鐘電路來(lái)產(chǎn)生振蕩信號(hào)，并且自身不能振蕩，因此“無(wú)源晶體”一詞不準(zhǔn)確； 源晶體是一個(gè)完整的諧振振蕩器。 石英晶體振蕩器和石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的電子設(shè)備。 石英晶體振蕩器利用石英晶體的壓電效應(yīng)來(lái)振動(dòng)，而石英晶體諧振器利用石英晶體和內(nèi)置的IC協(xié)同工作。 振蕩器直接應(yīng)用于電路。 通常，當(dāng)諧振器工作時(shí)，需要3.3V的電壓來(lái)維持諧振器。 振蕩器比諧振器還有一個(gè)更重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）。 諧振器沒(méi)有電阻要求。  RR的大小直接影響電路的性能，因此這是企業(yè)之間競(jìng)爭(zhēng)的重要參數(shù)。 芯片晶體振蕩器的主要參數(shù)

總頻率差：在指定的時(shí)間內(nèi)，晶體振蕩器的頻率和給定的標(biāo)稱值是由指定工作和非 工作參數(shù)頻率的最大偏差。 總頻率差包括由頻率溫度穩(wěn)定性引起的最大頻率差，由頻率老化率引起的偏差，頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性。 通常，僅在考慮短期頻率穩(wěn)定性時(shí)才使用它，并且不嚴(yán)格要求其他頻率穩(wěn)定性指標(biāo)。

頻率穩(wěn)定性：對(duì)于任何晶體振蕩器，頻率不穩(wěn)定性都是絕對(duì)的，只是程度不同。 晶體的輸出頻率隨時(shí)間變化的曲線。 曲線顯示了頻率不穩(wěn)定性的三個(gè)因素：老化，漂移和短時(shí)穩(wěn)定性。  

開(kāi)機(jī)特性（頻率穩(wěn)定的預(yù)熱時(shí)間）：是指從開(kāi)機(jī)后的一段時(shí)間（例如5分鐘）到 開(kāi)機(jī)后另一時(shí)間段（例如1小時(shí)）的頻率。 顯示晶體振蕩器穩(wěn)定的速度。 該指示器對(duì)于頻繁切換的儀器（例如頻率計(jì)）很有用。  [H] 

頻率老化率：在恒定環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)，石英晶體振蕩器的頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。 這種長(zhǎng)期的頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化引起的。 因此，其頻移率稱為老化率。 在指定的時(shí)間限制后的最大變化率（例如，±10ppb /天，72小時(shí)后打開(kāi)電源），或最大的總頻率變化（例如：±1ppm /（第一年）和±5ppm /（十年）  ）在指定的時(shí)間范圍內(nèi)。  [H] 

晶體老化是由于晶體生產(chǎn)過(guò)程中的應(yīng)力，污染物，殘留氣體和結(jié)構(gòu)工藝缺陷等問(wèn)題引起的。 經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的變化后，應(yīng)力可以穩(wěn)定下來(lái)。 一種稱為“應(yīng)力補(bǔ)償”的晶體切割方法（SC切割方法）使晶體具有更好的特性。  [H] 

短期穩(wěn)定性：短期穩(wěn)定性。 觀察時(shí)間為1 ms，10 ms，100 ms，1秒，10秒。 晶體的輸出頻率受內(nèi)部電路的影響（晶體的Q值，組件的噪聲，電路的穩(wěn)定性，工作狀態(tài)等），并引起很大范圍的不穩(wěn)定。 在測(cè)量了一系列頻率值之后，將使用艾倫方程來(lái)計(jì)算它們。 相位噪聲也可以反映短時(shí)的穩(wěn)定性情況（由特殊儀器測(cè)量）。  

重現(xiàn)性：定義：晶體振蕩器經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行后將關(guān)閉，關(guān)閉一段時(shí)間t1（例如24小時(shí)），然后打開(kāi) 時(shí)間段t2（例如4個(gè)小時(shí)）。  f1，在相同的時(shí)間段t1中再次停止，然后在相同的時(shí)間段t2中再次重新啟動(dòng)，然后測(cè)量頻率f2。 重復(fù)性=（f2-f1）/ f2。  [H] 

頻率電壓控制范圍：將頻率控制電壓從參考電壓調(diào)整到指定的端電壓，并調(diào)整石英晶體振蕩器頻率的最小峰值變化。  

頻率電壓控制線性度：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率輸入控制電壓傳輸特性的度量，表示整個(gè)范圍內(nèi)的允許頻率偏差 非線性百分比。

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