晶體諧振器振蕩電路元件功能介紹；

 Rf:反饋電阻

 反饋電阻決定振蕩電路的偏置。正常情況下，由于TTL集成電路的低輸入/輸出阻抗，C-MOS集成電路使用的反饋電阻在100ω到10m(通常為1ω)之間，而TTL集成電路使用的反饋電阻在1kω到10kΩ(通常為4.7KΩ)之間。如果反饋電阻過大，反饋量會減少，導(dǎo)致工作點不穩(wěn)定。如果反饋電阻太小，增益會降低或電流會增加。目前，大多數(shù)集成電路使用反饋電阻。

 Rd:阻尼電阻

 阻尼電阻和負(fù)載電容可以充當(dāng)?shù)屯V波器，通過降低高頻范圍內(nèi)的增益來抑制異常諧波振蕩。此外，集成電路的增益也可以受到限制，使得CERALOCK可以與集成電路更好地匹配，從而抑制無用的振鈴、過沖和欠沖。在千赫波段，阻尼電阻應(yīng)該是幾千歐姆，而在兆赫波段，阻尼電阻應(yīng)該在幾十歐姆到幾百歐姆之間。阻尼電阻可以是可選的。

 CL1/CL2:負(fù)載電容

 該參數(shù)對于確定振蕩電路的穩(wěn)定性非常重要。如果負(fù)載電容太小，振蕩波形會變形，導(dǎo)致振蕩不穩(wěn)定。相反，如果負(fù)載電容過大，振蕩將停止。與相同的集成電路相比，振蕩電路將產(chǎn)生更低的頻率，并且需要更大的靜電容量。

 Rb:偏置電阻

 如果集成電路增益過大或使用TTL和三相緩沖集成電路，為了降低集成電路增益或抑制不穩(wěn)定振蕩，可以使用偏置電阻有目的地改變偏置點。碳-金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路使用電阻值為1ω至10ω的偏置電阻，TTL使用電阻值為1ω至10ω的偏置電阻。

       晶體諧振器工作原理相關(guān)介紹

晶體是指原子、分子或離子以規(guī)則和重復(fù)的模式向各個方向延伸的固體  

晶體和幾乎所有彈性物質(zhì)都有自然共振頻率，可以通過適當(dāng)?shù)膫鞲衅骷右岳谩?nbsp; 例如，鋼彈性好，聲速快。在應(yīng)時晶體被廣泛使用之前，鋼被用作機(jī)械過濾器。  共振頻率取決于晶體大小、形狀、彈性和物質(zhì)中聲音的速度。  高頻晶體通常被切割成簡單的形狀，如正方形薄片。  典型的低頻晶體通常被切割成音叉形狀，例如手表中使用的那些。  如果不需要太高的精度，可以使用陶瓷諧振器代替石英晶體諧振器。  

當(dāng)使用應(yīng)時晶體上的電極向正確切割和放置的應(yīng)時晶體施加電場時，晶體將變形  這是逆壓電效應(yīng)  當(dāng)施加的電場被移除時，應(yīng)時晶體將返回其原始狀態(tài)并發(fā)射電場，從而在電極上產(chǎn)生電壓。  這種特性使得應(yīng)時晶體在類似于由電感器、電容器和電阻器組成的RLC電路的電路中工作。  電感和電容組合的諧振頻率反映了應(yīng)時晶體的真實諧振頻率。  

石英晶體諧振器的優(yōu)點是，當(dāng)溫度變化時，影響振蕩頻率的彈性系數(shù)和尺寸略有變化，因此頻率特性穩(wěn)定。  共振特性還取決于振動模式和應(yīng)時(相對于晶軸)之間的切割角度。目前，AT切削是常用的切削方式，其振動是厚度剪切振動模式。  此外，在要求高精度和穩(wěn)定性的嚴(yán)格情況下，應(yīng)時晶體將被放置在晶體爐和振動吸收容器中，以防止外部溫度和振動的干擾。